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產(chǎn)品展示/ Product display
HVP高壓固態(tài)開關HTS 60-1000-SCR,這些固態(tài)開關專為高壓高峰值電流開關應用而設計,例如壓電驅動器、閃光燈驅動器、撬棒電路和浪涌發(fā)生器
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HVP高壓固態(tài)開關HTS 60-1000-SCR
高壓開關電流取決于時間,晶閘管/可控硅
與具有非常有限的 dv/dt 和 di/dt 功能的經(jīng)典圓盤晶閘管開關相比,
快速晶閘管開關模塊由大量并聯(lián)和串聯(lián)的較小晶閘管芯片(多達 1000 個單個晶閘管芯片)組成,
因此 dv/dt 和 di/dt 值可以有效地拆分為單個晶閘管的非臨界值。
每個晶閘管都由其自身高度同步和隔離的柵極驅動器點火。
這允許非常短的柵極布線,并避免危險的熱點,例如經(jīng)典晶閘管開關設計中已知的熱點。
設備
高峰值電流能力
高度擁堵容限
通過簡單的 TTL 觸發(fā)脈沖 (2-5 V) 輕松觸發(fā)
技術參數(shù)
最大電壓 (kV)6
峰值電流 (A)10000
峰值功率 (MW) 60
導通時間 (μs)35... ∞
外殼尺寸 (mm3 ) 122 x 64 x 31
說明
這些固態(tài)開關專為高壓高峰值電流開關應用而設計,例如壓電
驅動器、閃光燈驅動器、撬棒電路和浪涌發(fā)生器。這里描述的
開關模塊是在一種特殊類型的可控硅(硅控整流器)的基礎上
開發(fā)的,具有非常高的浪涌電流能力。每個開關模塊由大量的
這些可控硅串聯(lián)和并聯(lián)組成。非??焖俸屯介_啟的所有可控
硅的是由一個特殊的低阻抗驅動電路,它還提供了從控制輸入
電流隔離。內(nèi)部電流路徑優(yōu)化考慮雜散電感,允許導通
電流的變化率。與傳統(tǒng)的高壓開關如火花隙、電子管、氣體放
電管和機械開關相比,HTS-SCR系列晶閘管開關具有非常低的
抖動和穩(wěn)定的開關特性,不受溫度和年齡的影響。平均無沒障
時間(平均沒故障工作時間)比傳統(tǒng)的高壓開關高出幾個數(shù)量
級。
設計
抗干擾控制電路提供信號調(diào)節(jié)、輔助電壓監(jiān)控、頻率限制和溫度保護。在錯誤的操作條件下
,開關立即關閉并產(chǎn)生故障信號。一個特殊的同步輸入允
許多達50個開關模塊的并行互連,以增加單個模塊的導
通峰值電流。開關是由一個3到10伏的正向信號觸發(fā)的。
被觸發(fā)后的SCR開關保持在導通狀態(tài),直到負載電流低于保持電流(典型的晶
閘管行為)。關斷過程需要電流換向、電流限制或電流旁路。
在大多數(shù)放電應用中,關斷過程可以簡單地通過保持能量存儲
電容器的充電電流低于開關的保持電流來執(zhí)行。高于保持電流
的充電電流需要旁路開關,優(yōu)選采用MOSFET技術。
HVP高壓固態(tài)開關HTS 60-1000-SCR
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