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behlke可變導(dǎo)通時(shí)間高壓開(kāi)關(guān)HTS 501-03-LC

behlke可變導(dǎo)通時(shí)間高壓開(kāi)關(guān)HTS 501-03-LC,這些MOSFET 開(kāi)關(guān)是為一般的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如泡克爾
斯細(xì)胞驅(qū)動(dòng)器、偏轉(zhuǎn)和加速柵極驅(qū)動(dòng)器、壓電驅(qū)動(dòng)器和MCP/SEV脈沖器。

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behlke可變導(dǎo)通時(shí)間高壓開(kāi)關(guān)HTS 501-03-LC


這些MOSFET 開(kāi)關(guān)是為一般的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,如泡克爾

斯細(xì)胞驅(qū)動(dòng)器、偏轉(zhuǎn)和加速柵極驅(qū)動(dòng)器、壓電驅(qū)動(dòng)器和MCP/SEV

脈沖器。該開(kāi)關(guān)模塊集成了HTS開(kāi)關(guān)系列的所有功能

:易于處理、高可靠性、低抖動(dòng)和可重復(fù)的開(kāi)關(guān)行為。


由于其極低的耦合電容(開(kāi)關(guān)對(duì)控制),串聯(lián)HTS-LC特別適用于

操作頻率較高和EMC要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。HTS-LC開(kāi)關(guān)在抗噪

聲方面提供了顯著優(yōu)勢(shì),特別是在高dy/dt的情況下,并可能簡(jiǎn)化

EMC和 EMI方面的關(guān)鍵電路設(shè)計(jì)。但由于技術(shù)原因,在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)

時(shí)預(yù)期會(huì)出現(xiàn)高壓瞬變的電路中(例如具有兩個(gè)或更多開(kāi)關(guān)的推挽

電路)存在一些限制。在這種情況下,請(qǐng)咨詢工廠。

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如果開(kāi)關(guān)長(zhǎng)久連接到+5.00VDC輔助電源,則通過(guò)3至10伏振幅的正向信號(hào)

實(shí)現(xiàn)受控導(dǎo)通。接通時(shí)間可以通過(guò)輸入控制脈沖寬度在200ns和無(wú)限之間

簡(jiǎn)單地變化。防干擾驅(qū)動(dòng)器電路提供信號(hào)調(diào)節(jié),輔助電壓監(jiān)控,頻率限制

和溫度保護(hù)。在任何錯(cuò)誤操作條件下,開(kāi)關(guān)都會(huì)立即關(guān)閉并生成故障信號(hào)

(TTL電平)。高頻脈沖操作(>10脈沖/100μs)需要選項(xiàng)01(外部緩

沖電容器)。由于高電勢(shì)隔離,開(kāi)關(guān)也可在浮置電路或高側(cè)開(kāi)關(guān)應(yīng)用中簡(jiǎn)

單操作。幾種外殼選項(xiàng)可供選擇,以滿足個(gè)人要求。帶有尾線的標(biāo)準(zhǔn)塑料

外殼是低頻率應(yīng)用和低平均功率耗散的經(jīng)濟(jì)型封裝。塑料模塊還可配備非

隔離冷卻翅片(選項(xiàng)04),可提高最大值。連續(xù)功率損耗Pd(最大)約

為因子10在強(qiáng)制空氣作用下(>4米/秒)或油中最大因數(shù)50(例如硅油

AK50@50攝氏度,流速>0.1米/秒)。如果采取額外的絕緣措施(硅橡膠

密封劑或浸油),則可將模塊安裝在印刷電路板上??蛇x地提供Pd(最大

值)為1-2kW的潛在自由金屬外殼05(參見(jiàn)單獨(dú)的數(shù)據(jù)表“高功率金屬外

殼")。



HTS 501-03-LC技術(shù)參數(shù)

描述  使用 HTS 501-10-LC2 進(jìn)行新開(kāi)發(fā)

電壓 50kV

峰值電流 30A

峰值功率 1.5MW

上升電阻 86Ω

上升時(shí)間 150…∞

尺寸260 x 70 x 35mm


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